Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG65R163M1HXTMA1
IMBG65R163M1HXTMA1

IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+101.83 грн
139+101.33 грн
140+97.24 грн
250+89.60 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 85W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMBG65R163M1HXTMA1 за ціною від 89.60 грн до 462.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.32 грн
10+101.83 грн
25+101.33 грн
100+97.24 грн
250+89.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+222.44 грн
500+210.74 грн
1000+199.03 грн
10000+180.63 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R163M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0cee21653 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.95 грн
10+255.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.67 грн
10+298.77 грн
100+236.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+462.67 грн
48+298.77 грн
100+236.93 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 IMBG65R163M1HXTMA1 INFINEON 3671352.pdf Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.32 грн
10+101.83 грн
25+101.33 грн
100+97.24 грн
250+89.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 10439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+222.44 грн
500+210.74 грн
1000+199.03 грн
10000+180.63 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R163M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0cee21653
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+397.95 грн
10+255.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+462.67 грн
10+298.77 грн
100+236.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 infineonimbg65r163m1hdatasheetv0200en.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+462.67 грн
48+298.77 грн
100+236.93 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1 3671352.pdf
IMBG65R163M1HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.