IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imbg65r260m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+305.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IMBG65R260M1HXTMA1 за ціною від 131.56 грн до 559.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.99 грн
10+207.38 грн
100+149.87 грн
500+131.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMBG65R260M1H_DataSheet_v02_00_EN-2942354.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.48 грн
10+288.23 грн
100+179.77 грн
500+162.61 грн
1000+142.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+457.72 грн
100+374.88 грн
500+296.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r260m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.80 грн
10+417.93 грн
25+410.96 грн
50+385.41 грн
100+300.62 грн
250+284.83 грн
500+249.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r260m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+495.17 грн
28+442.58 грн
50+415.06 грн
100+323.74 грн
250+306.74 грн
500+268.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 3671351.pdf Description: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+559.81 грн
10+457.72 грн
100+374.88 грн
500+296.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imbg65r260m1h-datasheet-v02_00-en.pdf SP005539192
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 IMBG65R260M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.