IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.172kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3325.20 грн |
| 5+ | 2977.34 грн |
| 10+ | 2619.24 грн |
| 50+ | 2370.40 грн |
| 100+ | 2080.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.172kW, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMCQ120R007M2HXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IMCQ120R007M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |