IMCQ120R010M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1932.74 грн |
| 10+ | 1592.42 грн |
| 100+ | 1211.10 грн |
| 750+ | 1210.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMCQ120R010M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69A, 18V, Power Dissipation (Max): 880W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150.1 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 800 V.
Інші пропозиції IMCQ120R010M2HXTMA1 за ціною від 1383.82 грн до 2029.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMCQ120R010M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69A, 18V Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150.1 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 800 V |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IMCQ120R010M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69A, 18V Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150.1 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |