Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R017M2HXTMA1
IMCQ120R017M2HXTMA1

IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 800 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+701.67 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 750 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMCQ120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 580W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm.

Інші пропозиції IMCQ120R017M2HXTMA1 за ціною від 663.41 грн до 1355.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMCQ120R017M2HXTMA1 IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMCQ120R017M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1306.71 грн
10+816.93 грн
500+663.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240 Description: SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 800 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1355.12 грн
10+930.64 грн
50+827.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 IMCQ120R017M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240 Description: INFINEON - IMCQ120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 IMCQ120R017M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240 Description: INFINEON - IMCQ120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon_IMCQ120R017M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMCQ120R017M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1306.71 грн
10+816.93 грн
500+663.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240
IMCQ120R017M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 800 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1355.12 грн
10+930.64 грн
50+827.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240
IMCQ120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R017M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R017M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fa2fa4240
IMCQ120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.