Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R026M2HXTMA1
IMCQ120R026M2HXTMA1

IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMCQ120R026M2H_DataSheet_v01_00_EN-3569784.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.43 грн
10+806.18 грн
100+605.95 грн
250+587.08 грн
500+516.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.