IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 800 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 966.01 грн |
| 10+ | 650.79 грн |
| 100+ | 535.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMCQ120R026M2HXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMCQ120R026M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IMCQ120R026M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IMCQ120R026M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMCQ120R026M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMCQ120R026M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMCQ120R026M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)