Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R053M2HXTMA1
IMCQ120R053M2HXTMA1

IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMCQ120R053M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+638.92 грн
10+457.96 грн
100+331.97 грн
500+296.03 грн
750+262.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.