Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R053M2HXTMA1
IMCQ120R053M2HXTMA1

IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMCQ120R053M2H_DataSheet_v01_00_EN-3569860.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.37 грн
10+569.27 грн
100+412.77 грн
500+335.04 грн
750+327.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.