Технічний опис IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMCQ120R053M2HXTMA1 за ціною від 311.22 грн до 638.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMCQ120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP |
на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IMCQ120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IMCQ120R053M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMCQ120R053M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 638.11 грн |
| 10+ | 420.20 грн |
| 100+ | 311.22 грн |
| IMCQ120R053M2HXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IMCQ120R053M2HXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)