Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R078M2HXTMA1
IMCQ120R078M2HXTMA1

IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

DS_IMCQ120R078M2H_v1.00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 31A 22PWRBSOP
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.36 грн
10+368.48 грн
100+269.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.

Інші пропозиції IMCQ120R078M2HXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMCQ120R078M2HXTMA1 IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMCQ120R078M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R078M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IMCQ120R078M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.