Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R078M2HXTMA1
IMCQ120R078M2HXTMA1

IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMCQ120R078M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.86 грн
10+364.83 грн
100+264.25 грн
500+235.67 грн
750+209.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.