Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R078M2HXTMA1
IMCQ120R078M2HXTMA1

IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMCQ120R078M2H_DataSheet_v01_00_EN-3569810.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.48 грн
10+458.20 грн
100+332.03 грн
500+270.90 грн
750+264.11 грн
2250+261.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.