IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 608.89 грн |
| 10+ | 398.16 грн |
| 50+ | 317.49 грн |
| 100+ | 273.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.
Інші пропозиції IMCQ120R078M2HXTMA1 за ціною від 251.50 грн до 641.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IMCQ120R078M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IMCQ120R078M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 641.13 грн |
| 10+ | 342.75 грн |
| 100+ | 274.02 грн |
| 500+ | 268.01 грн |
| 750+ | 251.50 грн |




