Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMCQ120R078M2HXTMA1
IMCQ120R078M2HXTMA1

IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMCQ120R078M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.48 грн
10+363.87 грн
100+263.56 грн
500+235.05 грн
750+208.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package.