IMD10AMT1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 6.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMD10AMT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 500, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 130, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 285, Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung, Bauform - Transistor: SOT-26, Bauform - HF-Transistor: SOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.012, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IMD10AMT1G за ціною від 5.93 грн до 29.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMD10AMT1G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 285 Bauform - Transistor: SOT-26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD10AMT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 285mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-74R Part Status: Active |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMD10AMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 130 Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 285 Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung Bauform - Transistor: SOT-26 Bauform - HF-Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.012 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD10AMT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SURF MT BIASED RES XSTR |
на замовлення 7343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMD10AMT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 285mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-74R Part Status: Active |
товар відсутній |