Продукція > ONSEMI > IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

IMD10AMT1G onsemi

imd10amt1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.39 грн
6000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMD10AMT1G onsemi

Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 285mW, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IMD10AMT1G за ціною від 6.58 грн до 40.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMD10AMT1G IMD10AMT1G onsemi imd10amt1g-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 28593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
13+23.50 грн
100+14.95 грн
500+10.58 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G IMD10AMT1G onsemi imd10amt1g-d.pdf Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 6289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G IMD10AMT1G ONSEMI 2578337.pdf Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G IMD10AMT1G ONSEMI 2578337.pdf Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G ON Semiconductor imd10amt1g-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.22 грн
52+14.66 грн
53+14.20 грн
100+8.01 грн
250+7.34 грн
1000+6.82 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G imd10amt1g-d.pdf
IMD10AMT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 28593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
13+23.50 грн
100+14.95 грн
500+10.58 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G imd10amt1g-d.pdf
IMD10AMT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 6289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G 2578337.pdf
IMD10AMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G 2578337.pdf
IMD10AMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD10AMT1G imd10amt1g-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.22 грн
52+14.66 грн
53+14.20 грн
100+8.01 грн
250+7.34 грн
1000+6.82 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.