IMD16AT108 Rohm Semiconductor
на замовлення 8322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1589+ | 7.36 грн |
| 1645+ | 7.11 грн |
| 1667+ | 7.02 грн |
| 2000+ | 6.66 грн |
| 6000+ | 6.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMD16AT108 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції IMD16AT108 за ціною від 5.84 грн до 36.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMD16AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD16AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5/0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 82...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2/100kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMD16AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5/0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 82...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2/100kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMD16AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD16AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD16AT108 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP/NPN 50V 500MA SOT-457 |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMD16AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Транз. Сборка Бипол. ММ NPN/PNP (Dual) SOT-457 Uceo=50V; Ic=0,15A; Pdmax=0,3W |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IMD16AЎЎT108 | Виробник : ROHM |
на замовлення 26100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IMD16AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active |
товар відсутній |