IMD2AT108 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 25.09 грн |
| 15+ | 18.98 грн |
| 100+ | 11.4 грн |
| 500+ | 9.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMD2AT108 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: IMD2A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції IMD2AT108 за ціною від 5.17 грн до 29.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMD2AT108 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 30MA SOT-457 |
на замовлення 14628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMD2AT108 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: IMD2A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMD2A T108 | Виробник : ROHM | SOT163 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IMD2A T108 | Виробник : ROHM | SOT163-D2 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IMD2AT108 Код товару: 107838 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
IMD2AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Frequency: 250MHz Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 56 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC74; SOT457 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IMD2AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IMD2AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Frequency: 250MHz Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 56 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SC74; SOT457 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ |
товар відсутній |