IMD2AT108 Rohm Semiconductor
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1464+ | 8.36 грн |
| 1634+ | 7.49 грн |
| 2058+ | 5.94 грн |
| 2119+ | 5.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMD2AT108 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: IMD2A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMD2AT108 за ціною від 7.76 грн до 40.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IMD2AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD2AT108 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: IMD2A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD2AT108 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA SOT-457 |
на замовлення 6953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMD2AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMD2A T108 | Виробник : ROHM | SOT163 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IMD2A T108 | Виробник : ROHM | SOT163-D2 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IMD2AT108 Код товару: 107838
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
| IMD2AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
IMD2AT108 Complementary transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IMD2AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
товару немає в наявності |