IMD6AT108 ROHM Semiconductor
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.49 грн |
| 15+ | 21.73 грн |
| 100+ | 12.88 грн |
| 1000+ | 7.28 грн |
| 3000+ | 5.74 грн |
| 9000+ | 5.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMD6AT108 ROHM Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN, Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SMT6.
Інші пропозиції IMD6AT108 за ціною від 6.86 грн до 31.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMD6AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 4961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IMD6A-T108 | Виробник : ROH | 07+; |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IMD6AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Frequency: 250MHz Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 100...600 Kind of package: reel; tape Case: SC74; SOT457 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IMD6AT108 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IMD6AT108 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Frequency: 250MHz Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 100...600 Kind of package: reel; tape Case: SC74; SOT457 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ |
товар відсутній |