Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMDQ65R007M2HXUMA1
IMDQ65R007M2HXUMA1

IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMDQ65R007M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934d980ca73a34 Виробник: Infineon Technologies
Description: IMDQ65R007M2HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2042.54 грн
10+1587.07 грн
25+1492.13 грн
100+1302.40 грн
250+1255.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon Technologies

Description: IMDQ65R007M2HXUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 937W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMDQ65R007M2HXUMA1 за ціною від 1387.12 грн до 2213.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMDQ65R007M2HXUMA1 IMDQ65R007M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMDQ65R007M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2213.76 грн
10+1824.09 грн
100+1387.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1 IMDQ65R007M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ65R007M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934d980ca73a34 Description: IMDQ65R007M2HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.