Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMDQ75R007M2HXTMA1
IMDQ75R007M2HXTMA1

IMDQ75R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMDQ75R007M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb5bad7f665c Виробник: Infineon Technologies
Description: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2141.40 грн
10+1583.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: IMDQ75R007M2HXTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 789W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IMDQ75R007M2HXTMA1 за ціною від 1497.87 грн до 2390.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMDQ75R007M2HXTMA1 IMDQ75R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03-25-2025_DS_IMDQ75R007M2H_2_0.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2390.86 грн
10+1969.27 грн
100+1497.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R007M2HXTMA1 IMDQ75R007M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R007M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb5bad7f665c Description: IMDQ75R007M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 28.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 840 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5922 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.