IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2211.63 грн |
| 10+ | 1659.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pins, Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IMDQ75R008M1HXUMA1 за ціною від 1832.47 грн до 3026.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMDQ75R008M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOPtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pins Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMDQ75R008M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pins Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMDQ75R008M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMDQ75R008M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |