Продукція > INFINEON > IMDQ75R008M1HXUMA1
IMDQ75R008M1HXUMA1

IMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON

4015353.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2178.95 грн
5+2070.09 грн
10+1517.95 грн
50+1331.89 грн
100+1157.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMDQ75R008M1HXUMA1 за ціною від 1695.55 грн до 3091.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b6132fe9921f4 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2259.01 грн
10+1695.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 4015353.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2950.55 грн
5+2785.95 грн
10+2621.36 грн
50+2282.08 грн
100+1965.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMDQ75R008M1H_DataSheet_v02_00_EN-3421919.pdf MOSFETs Y
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3091.21 грн
10+2707.80 грн
25+2263.00 грн
50+2209.43 грн
100+2059.60 грн
250+1979.64 грн
500+1871.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b6132fe9921f4 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.