Продукція > INFINEON > IMDQ75R016M1HXUMA1
IMDQ75R016M1HXUMA1

IMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON

4127743.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1348.89 грн
50+1231.56 грн
100+1060.80 грн
250+999.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A, Power Dissipation (Max): 384W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IMDQ75R016M1HXUMA1 за ціною від 914.51 грн до 1600.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b61330f5e21f8 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1465.32 грн
10+1035.60 грн
100+919.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 4127743.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1582.35 грн
5+1466.04 грн
10+1348.89 грн
50+1231.56 грн
100+1060.80 грн
250+999.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMDQ75R016M1H_DataSheet_v02_00_EN-3385545.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1600.40 грн
10+1401.68 грн
25+1136.80 грн
50+1101.74 грн
100+1065.94 грн
250+995.07 грн
500+914.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b61330f5e21f8 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.