Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMDQ75R016M1HXUMA1
IMDQ75R016M1HXUMA1

IMDQ75R016M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMDQ75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b61330f5e21f8 Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1336.03 грн
10+ 1186.89 грн
25+ 1133.58 грн
100+ 951.16 грн
250+ 907.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R016M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A, Power Dissipation (Max): 384W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IMDQ75R016M1HXUMA1 за ціною від 818.49 грн до 1432.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMDQ75R016M1H_DataSheet_v02_00_EN-3385545.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1432.36 грн
10+ 1254.51 грн
25+ 1017.44 грн
50+ 986.06 грн
100+ 954.02 грн
250+ 890.6 грн
500+ 818.49 грн
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b61330f5e21f8 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
товар відсутній