Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1

IMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_03-25-2025_DS_IMDQ75R016M2H_2_0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 394W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IMDQ75R016M2HXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMDQ75R016M2HXTMA1 IMDQ75R016M2HXTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 394W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.