Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMDQ75R027M1HXUMA1
IMDQ75R027M1HXUMA1

IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMDQ75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0efc70d2c6c
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMDQ75R027M1HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+826.69 грн
10+589.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMDQ75R027M1HXUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMDQ75R027M1HXUMA1 IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMDQ75R027M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1 IMDQ75R027M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0efc70d2c6c Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon_IMDQ75R027M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMDQ75R027M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0efc70d2c6c
IMDQ75R027M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R027M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 0.025 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.