IMH1AT110 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.76 грн |
| 6000+ | 8.56 грн |
| 9000+ | 8.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMH1AT110 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - IMH1AT110 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Produktpalette: IMH1A Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IMH1AT110 за ціною від 6.46 грн до 43.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMH1AT110 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - IMH1AT110 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-457 Produktpalette: IMH1A Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IMH1AT110 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DUAL NPN 50V 30MA |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IMH1AT110 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SMT6 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IMH1AT110 |
|
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IMH1A T110 | Виробник : RHOM | SOT23-6 04+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| IMH1A T110 | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 4874 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| IMH1AT110 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
IMH1AT110 NPN SMD transistors |
товару немає в наявності |