IMLT40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1182.74 грн |
| 10+ | 821.06 грн |
| 100+ | 582.89 грн |
| 500+ | 564.76 грн |
| 1800+ | 537.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMLT40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: IMLT40R011M2HXTMA1, Packaging: Tube, Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 429W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 200 V.
Інші пропозиції IMLT40R011M2HXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMLT40R011M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IMLT40R011M2HXTMA1Packaging: Tube Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 200 V |
товару немає в наявності |