IMLT40R015M2HXTMA1

IMLT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imt40r015m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Виробник: Infineon Technologies
Description: IMLT40R015M2HXTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+407.67 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMLT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: IMLT40R015M2HXTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V.

Інші пропозиції IMLT40R015M2HXTMA1 за ціною від 480.51 грн до 844.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMLT40R015M2HXTMA1 IMLT40R015M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imt40r015m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Description: IMLT40R015M2HXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.54 грн
10+564.42 грн
100+480.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.