Продукція > INFINEON > IMLT65R015M2HXTMA1
IMLT65R015M2HXTMA1

IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON

infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+841.21 грн
50+736.07 грн
100+638.57 грн
250+596.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMLT65R015M2HXTMA1 за ціною від 596.99 грн до 1152.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.34 грн
10+750.20 грн
100+637.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMLT65R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1135.59 грн
10+930.51 грн
100+730.20 грн
500+729.49 грн
1800+721.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.86 грн
5+997.45 грн
10+841.21 грн
50+736.07 грн
100+638.57 грн
250+596.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMLT65R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1105.34 грн
10+750.20 грн
100+637.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon-IMLT65R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf
IMLT65R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1135.59 грн
10+930.51 грн
100+730.20 грн
500+729.49 грн
1800+721.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMLT65R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1152.86 грн
5+997.45 грн
10+841.21 грн
50+736.07 грн
100+638.57 грн
250+596.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.