Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMLT65R020M2HXTMA1
IMLT65R020M2HXTMA1

IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMLT65R020M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e7f42707fd Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1100.60 грн
10+817.14 грн
100+730.10 грн
500+677.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V, Power Dissipation (Max): 454W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMLT65R020M2HXTMA1 за ціною від 728.32 грн до 1256.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMLT65R020M2H_DataSheet_v02_00_EN-3454187.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1256.54 грн
10+1061.77 грн
25+854.86 грн
50+826.91 грн
100+799.69 грн
250+761.43 грн
500+728.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMLT65R020M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e7f42707fd Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.