Продукція > INFINEON > IMLT65R020M2HXTMA1
IMLT65R020M2HXTMA1

IMLT65R020M2HXTMA1 INFINEON

4265865.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+975.18 грн
50+862.29 грн
100+756.06 грн
250+740.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMLT65R020M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 454W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMLT65R020M2HXTMA1 за ціною від 694.77 грн до 1288.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4265865.pdf Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1092.85 грн
5+1034.44 грн
10+975.18 грн
50+862.29 грн
100+756.06 грн
250+740.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMLT65R020M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e7f42707fd Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1128.91 грн
10+838.16 грн
100+748.87 грн
500+694.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMLT65R020M2H_DataSheet_v02_00_EN-3454187.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1288.86 грн
10+1089.08 грн
25+876.85 грн
50+848.18 грн
100+820.26 грн
250+781.02 грн
500+747.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMLT65R020M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e7f42707fd Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.