Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMLT65R026M2HXTMA1
IMLT65R026M2HXTMA1

IMLT65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMLT65R026M2H_DataSheet_v02_00_EN-3518011.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1063.43 грн
10+849.90 грн
25+688.41 грн
50+658.32 грн
100+630.43 грн
250+599.60 грн
500+573.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMLT65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 365W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMLT65R026M2HXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMLT65R026M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies IMLT65R026M2HXTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R026M2HXTMA1 IMLT65R026M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R026M2HXTMA1 IMLT65R026M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.