IMLT65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 655.56 грн |
| 10+ | 480.53 грн |
| 100+ | 348.21 грн |
| 500+ | 310.66 грн |
| 1000+ | 276.52 грн |
| 1800+ | 275.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMLT65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1213 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IMLT65R033M2HXTMA1 за ціною від 313.99 грн до 688.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMLT65R033M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1213 pF @ 400 V |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMLT65R033M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1213 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |