IMLT65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 654.16 грн |
| 10+ | 476.51 грн |
| 100+ | 406.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMLT65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMLT65R040M2HXTMA1 за ціною від 372.99 грн до 1132.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMLT65R040M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMLT65R040M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IMLT65R040M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |