IMLT65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 675.64 грн |
| 10+ | 570.85 грн |
| 25+ | 450.26 грн |
| 100+ | 413.66 грн |
| 250+ | 388.76 грн |
| 500+ | 364.60 грн |
| 1000+ | 328.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMLT65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IMLT65R050M2HXTMA1 за ціною від 493.49 грн до 913.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IMLT65R050M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOPtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|