Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMLT65R060M2HXTMA1
IMLT65R060M2HXTMA1

IMLT65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMLT65R060M2H_DataSheet_v02_00_EN-3454262.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.73 грн
10+439.94 грн
100+318.55 грн
500+281.77 грн
1000+253.07 грн
1800+252.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMLT65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IMLT65R060M2HXTMA1 за ціною від 314.24 грн до 597.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMLT65R060M2HXTMA1 IMLT65R060M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMLT65R060M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e93c8b08c7 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.66 грн
10+415.28 грн
25+384.64 грн
100+329.32 грн
250+314.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R060M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4265868.pdf Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+597.51 грн
5+556.24 грн
10+514.98 грн
50+446.77 грн
100+383.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R060M2HXTMA1 IMLT65R060M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMLT65R060M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e93c8b08c7 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.