Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMSQ120R012M2HHXUMA1
IMSQ120R012M2HHXUMA1

IMSQ120R012M2HHXUMA1 Infineon Technologies

DS_IMSQ120R012M2HH_v1.00_en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-BSOP (0.606", 15.40mm Width), 16 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Power - Max: 758W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 121A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-221
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2934.79 грн
10+2348.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMSQ120R012M2HHXUMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 24-BSOP (0.606", 15.40mm Width), 16 Leads, Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Power - Max: 758W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 121A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 0V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-221.

Інші пропозиції IMSQ120R012M2HHXUMA1 за ціною від 2222.80 грн до 3412.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMSQ120R012M2HHXUMA1 IMSQ120R012M2HHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03-03-2025_DS_IMSQ120R012M2HH_v1.00_en.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3412.81 грн
10+2923.17 грн
100+2224.35 грн
500+2223.57 грн
750+2222.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMSQ120R012M2HHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IMSQ120R012M2HH_v1.00_en.pdf SP005873528
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMSQ120R012M2HHXUMA1 IMSQ120R012M2HHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IMSQ120R012M2HH_v1.00_en.pdf Description: SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-BSOP (0.606", 15.40mm Width), 16 Leads, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Power - Max: 758W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 121A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 57A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-221
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.