Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMSQ120R026M2HHXUMA1
IMSQ120R026M2HHXUMA1

IMSQ120R026M2HHXUMA1 Infineon Technologies

Infineon_03-03-2025_DS_IMSQ120R026M2HH_v1.00_en.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1506.49 грн
10+1213.96 грн
100+932.90 грн
750+932.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMSQ120R026M2HHXUMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology.