Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMSQ120R040M2HHXUMA1
IMSQ120R040M2HHXUMA1

IMSQ120R040M2HHXUMA1 Infineon Technologies


Infineon_03_03_2025_DS_IMSQ120R040M2HH_v1_00_en-3571430.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1377.08 грн
10+1087.32 грн
100+817.81 грн
750+817.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMSQ120R040M2HHXUMA1 Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology.

Інші пропозиції IMSQ120R040M2HHXUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMSQ120R040M2HHXUMA1 Виробник : Infineon Technologies IMSQ120R040M2HHXUMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.