IMSQ120R053M2HHXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1101.19 грн |
| 10+ | 956.02 грн |
| 100+ | 718.76 грн |
| 250+ | 695.96 грн |
| 500+ | 609.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMSQ120R053M2HHXUMA1 Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology.
Інші пропозиції IMSQ120R053M2HHXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IMSQ120R053M2HHXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IMSQ120R053M2HHXUMA1 |
товару немає в наявності |