Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMT40R015M2HXTMA1
IMT40R015M2HXTMA1

IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+736.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm.

Інші пропозиції IMT40R015M2HXTMA1 за ціною від 521.48 грн до 1311.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.77 грн
10+637.08 грн
100+521.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1311.42 грн
10+916.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1311.42 грн
16+916.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT40R015M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+946.77 грн
10+637.08 грн
100+521.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1311.42 грн
10+916.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1311.42 грн
16+916.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 Infineon_IMT40R015M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.