Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IMT40R015M2HXTMA1

IMT40R015M2HXTMA1

Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933
Код товару: 223408
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 36 шт
  • 36 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IMT40R015M2HXTMA1 за ціною від 334.74 грн до 950.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.12 грн
10+340.48 грн
25+334.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+740.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.19 грн
10+639.58 грн
50+523.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon_an_2021_02_thermal_measurement_for_d2pak_on_pcb_applicationnotes_en.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+346.12 грн
10+340.48 грн
25+334.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+740.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 Infineon-IMT40R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84b72f374933
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+950.19 грн
10+639.58 грн
50+523.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 infineon_an_2021_02_thermal_measurement_for_d2pak_on_pcb_applicationnotes_en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 infineonimt40r015m2hdatasheetv0200en.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

ISO7740DBQ
Код товару: 223406
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fiso7740
Мікросхеми > Інтерфейсні
товару немає в наявності
очікується: 8 шт
  • 8 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
AMC1302QDWVRQ1
Код товару: 223401
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Famc1302-q1
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
TPD4E001QDBVRQ1
Код товару: 223400
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftpd4e001-q1
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товару немає в наявності
очікується: 12 шт
  • 12 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LVC1G17QDBVRQ1
Код товару: 223399
Додати до обраних Обраний товар
sn74lvc1g17.pdf?ts=1753329212593
Мікросхеми > Логіка
товару немає в наявності
очікується: 25 шт
  • 25 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
UCC21750QDWRQ1
Код товару: 223397
Додати до обраних Обраний товар
ucc21750-q1
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
очікується: 32 шт
  • 32 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.