IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 634.38 грн |
| 50+ | 540.31 грн |
| 100+ | 453.00 грн |
| 250+ | 444.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMT40R025M2HXTMA1 за ціною від 336.08 грн до 836.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMT40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC-MOS |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMT40R025M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMT40R025M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V |
товару немає в наявності |