IMT44R015M2HXTMA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 956.33 грн |
| 10+ | 657.36 грн |
| 100+ | 463.78 грн |
| 1000+ | 432.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT44R015M2HXTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 440V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMT44R015M2HXTMA2 за ціною від 504.66 грн до 1036.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT44R015M2HXTMA2 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOFtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 440V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IMT44R015M2HXTMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1036.92 грн |
| 5+ | 880.68 грн |
| 10+ | 723.62 грн |
| 50+ | 615.43 грн |
| 100+ | 515.23 грн |
| 250+ | 504.66 грн |