IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1115.55 грн |
| 50+ | 1018.54 грн |
| 100+ | 924.20 грн |
| 250+ | 905.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 681W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMT65R010M2HXUMA1 за ціною від 837.97 грн до 1582.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R010M2HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 681W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMT65R010M2HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 681W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMT65R010M2HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IMT65R010M2HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 681W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |