Продукція > INFINEON > IMT65R022M1HXUMA1
IMT65R022M1HXUMA1

IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON

3974510.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMT65R022M1HXUMA1 за ціною від 505.83 грн до 1393.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b265b71bb Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.25 грн
10+710.11 грн
100+541.36 грн
500+505.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON 3974510.pdf Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1162.73 грн
5+1010.60 грн
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R022M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159544.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1393.79 грн
10+1211.77 грн
25+1024.82 грн
50+967.73 грн
100+910.63 грн
250+882.44 грн
500+825.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 Infineon-IMT65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b265b71bb
IMT65R022M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1048.25 грн
10+710.11 грн
100+541.36 грн
500+505.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 3974510.pdf
IMT65R022M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1162.73 грн
5+1010.60 грн
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 Infineon_IMT65R022M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159544.pdf
IMT65R022M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1393.79 грн
10+1211.77 грн
25+1024.82 грн
50+967.73 грн
100+910.63 грн
250+882.44 грн
500+825.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.