IMT65R030M1HXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 845.32 грн |
| 10+ | 570.63 грн |
| 100+ | 399.64 грн |
| 1000+ | 372.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R030M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IMT65R030M1HXUMA1 за ціною від 402.42 грн до 855.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R030M1HXUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETDrain to Source Voltage (Vdss): 650 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IMT65R030M1HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 855.57 грн |
| 10+ | 573.21 грн |
| 100+ | 435.46 грн |
| 500+ | 402.42 грн |