Продукція > INFINEON > IMT65R033M2HXUMA1
IMT65R033M2HXUMA1

IMT65R033M2HXUMA1 INFINEON

4503010.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 68A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+675.27 грн
5+637.76 грн
10+598.54 грн
50+537.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R033M2HXUMA1 INFINEON

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMT65R033M2HXUMA1 за ціною від 313.90 грн до 760.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMT65R033M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e2151653c8f Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.64 грн
10+447.32 грн
100+362.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMT65R033M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.81 грн
10+569.01 грн
100+412.71 грн
500+370.14 грн
2000+313.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMT65R033M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e2151653c8f Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.