IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 675.10 грн |
| 50+ | 566.49 грн |
| 100+ | 463.63 грн |
| 250+ | 439.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IMT65R039M1HXUMA1 за ціною від 340.48 грн до 893.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005716838 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IMT65R039M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товару немає в наявності |