Продукція > INFINEON > IMT65R039M1HXUMA1
IMT65R039M1HXUMA1

IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON

3974512.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+573.96 грн
50+488.68 грн
100+409.50 грн
250+401.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMT65R039M1HXUMA1 за ціною від 305.19 грн до 814.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R039M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159573.pdf MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.01 грн
10+555.23 грн
100+402.46 грн
500+355.23 грн
1000+345.36 грн
2000+305.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.45 грн
10+518.08 грн
100+386.88 грн
500+340.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON 3974512.pdf Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+814.07 грн
5+694.02 грн
10+573.96 грн
50+488.68 грн
100+409.50 грн
250+401.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 Infineon_IMT65R039M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159573.pdf
IMT65R039M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+657.01 грн
10+555.23 грн
100+402.46 грн
500+355.23 грн
1000+345.36 грн
2000+305.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1
IMT65R039M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+779.45 грн
10+518.08 грн
100+386.88 грн
500+340.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 3974512.pdf
IMT65R039M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+814.07 грн
5+694.02 грн
10+573.96 грн
50+488.68 грн
100+409.50 грн
250+401.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.