IMT65R048M1HXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 729.40 грн |
| 10+ | 491.40 грн |
| 100+ | 352.55 грн |
| 500+ | 313.70 грн |
| 2000+ | 296.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R048M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.
Інші пропозиції IMT65R048M1HXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R048M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IMT65R048M1HXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IMT65R048M1HXUMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMT65R048M1HXUMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)