Продукція > INFINEON > IMT65R057M1HXUMA1
IMT65R057M1HXUMA1

IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON

3974514.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+519.50 грн
50+450.28 грн
100+331.67 грн
250+325.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMT65R057M1HXUMA1 за ціною від 325.32 грн до 762.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMT65R057M1HXUMA1 IMT65R057M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 3974514.pdf Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+687.45 грн
5+603.48 грн
10+519.50 грн
50+450.28 грн
100+331.67 грн
250+325.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1 IMT65R057M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMT65R057M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159577.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+762.90 грн
10+644.81 грн
25+508.60 грн
100+466.77 грн
250+439.61 грн
500+412.46 грн
1000+390.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-imt65r057m1h-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.