Продукція > INFINEON > IMT65R057M1HXUMA1
IMT65R057M1HXUMA1

IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON

3974514.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+409.50 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+253.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMT65R057M1HXUMA1 за ціною від 253.03 грн до 732.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMT65R057M1HXUMA1 IMT65R057M1HXUMA1 INFINEON 3974514.pdf Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.74 грн
10+409.50 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+253.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1 IMT65R057M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R057M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159577.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.67 грн
10+619.26 грн
25+488.44 грн
100+448.27 грн
250+422.19 грн
500+396.11 грн
1000+374.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1 3974514.pdf
IMT65R057M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+602.74 грн
10+409.50 грн
100+308.36 грн
500+278.70 грн
1000+253.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R057M1HXUMA1 Infineon_IMT65R057M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159577.pdf
IMT65R057M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+732.67 грн
10+619.26 грн
25+488.44 грн
100+448.27 грн
250+422.19 грн
500+396.11 грн
1000+374.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.