Продукція > INFINEON > IMT65R060M2HXUMA1
IMT65R060M2HXUMA1

IMT65R060M2HXUMA1 INFINEON

4503013.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 41.4A HSOF-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+375.81 грн
5+354.66 грн
10+333.51 грн
50+298.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R060M2HXUMA1 INFINEON

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IMT65R060M2HXUMA1 за ціною від 158.97 грн до 460.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMT65R060M2HXUMA1 IMT65R060M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMT65R060M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.67 грн
10+309.50 грн
100+217.54 грн
500+193.83 грн
1000+187.56 грн
2000+158.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1 IMT65R060M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMT65R060M2H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3cc8693d4b Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.44 грн
10+297.60 грн
100+214.86 грн
500+182.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1 IMT65R060M2HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IMT65R060M2H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3cc8693d4b Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.