IMT65R072M1HXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 551.88 грн |
| 10+ | 455.77 грн |
| 100+ | 379.80 грн |
| 500+ | 314.49 грн |
| 1000+ | 283.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R072M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IMT65R072M1HXUMA1 за ціною від 217.09 грн до 572.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R072M1HXUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IMT65R072M1HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 572.32 грн |
| 10+ | 382.58 грн |
| 100+ | 248.10 грн |
| 2000+ | 217.09 грн |