Продукція > INFINEON > IMT65R083M1HXUMA1
IMT65R083M1HXUMA1

IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON

3974516.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMT65R083M1HXUMA1 за ціною від 283.82 грн до 283.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMT65R083M1HXUMA1 IMT65R083M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1 IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON 3974516.pdf Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 32A; 158W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 83mΩ
Power dissipation: 158W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+283.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1 Infineon_IMT65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IMT65R083M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1 3974516.pdf
IMT65R083M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 32A; 158W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 83mΩ
Power dissipation: 158W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+283.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.