Продукція > INFINEON > IMT65R083M1HXUMA1
IMT65R083M1HXUMA1

IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON

3974516.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+456.84 грн
50+ 407.52 грн
100+ 360.13 грн
250+ 338.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IMT65R083M1HXUMA1 за ціною від 277.06 грн до 636.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IMT65R083M1HXUMA1 IMT65R083M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMT65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159550.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+539.77 грн
10+ 456.05 грн
25+ 359.84 грн
100+ 330.47 грн
250+ 311.11 грн
500+ 291.75 грн
1000+ 277.06 грн
IMT65R083M1HXUMA1 IMT65R083M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 3974516.pdf Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+636.59 грн
5+ 546.72 грн
10+ 456.84 грн
50+ 407.52 грн
100+ 360.13 грн
250+ 338.3 грн
Мінімальне замовлення: 2