Продукція > INFINEON > IMT65R083M1HXUMA1
IMT65R083M1HXUMA1

IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON

3974516.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+380.36 грн
50+318.03 грн
100+213.82 грн
250+209.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IMT65R083M1HXUMA1 за ціною від 209.59 грн до 593.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMT65R083M1HXUMA1 IMT65R083M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 3974516.pdf Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+561.49 грн
5+470.92 грн
10+380.36 грн
50+318.03 грн
100+213.82 грн
250+209.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1 IMT65R083M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMT65R083M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159550.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.37 грн
10+501.33 грн
25+395.58 грн
100+363.28 грн
250+342.00 грн
500+320.72 грн
1000+304.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.