IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 151.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IMT65R107M1HXUMA1 за ціною від 168.06 грн до 552.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R107M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMT65R107M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IMT65R107M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMT65R107M1HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|