Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IMT65R107M1HXUMA1
IMT65R107M1HXUMA1

IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+153.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 138W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm.

Інші пропозиції IMT65R107M1HXUMA1 за ціною від 169.86 грн до 497.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.64 грн
10+257.09 грн
100+184.90 грн
500+170.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.18 грн
10+316.58 грн
100+227.78 грн
500+190.13 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R107M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159516.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.49 грн
10+420.68 грн
25+331.97 грн
100+304.48 грн
250+286.86 грн
500+268.54 грн
1000+255.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
IMT65R107M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+399.64 грн
10+257.09 грн
100+184.90 грн
500+170.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
IMT65R107M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+471.18 грн
10+316.58 грн
100+227.78 грн
500+190.13 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon_IMT65R107M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159516.pdf
IMT65R107M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+497.49 грн
10+420.68 грн
25+331.97 грн
100+304.48 грн
250+286.86 грн
500+268.54 грн
1000+255.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.