IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.60 грн |
| 10+ | 242.57 грн |
| 100+ | 164.44 грн |
| 500+ | 138.07 грн |
| 1000+ | 131.83 грн |
| 2000+ | 119.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції IMT65R163M1HXUMA1 за ціною від 147.73 грн до 405.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R163M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IMT65R163M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
товару немає в наявності |