IMT65R260M1HXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 349.58 грн |
| 10+ | 223.11 грн |
| 100+ | 158.57 грн |
| 500+ | 122.97 грн |
| 1000+ | 117.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMT65R260M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції IMT65R260M1HXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R260M1HXUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IMT65R260M1HXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)