Продукція > INFINEON > IMTA65R026M2HXTMA1
IMTA65R026M2HXTMA1

IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON


4520232.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+582.52 грн
50+524.34 грн
100+468.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IMTA65R026M2HXTMA1 за ціною від 318.50 грн до 838.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IMTA65R026M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.89 грн
10+581.40 грн
100+420.72 грн
500+374.82 грн
2000+318.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 Виробник : INFINEON 4520232.pdf Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+838.89 грн
5+710.71 грн
10+582.52 грн
50+524.34 грн
100+468.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.